存储芯片概念活跃，同有科技20%涨停，佰维存储续创新高

存储芯片概念18日盘中走势强劲，截至发稿，同有科技20%涨停，朗科科技涨超16%再创新高，深科达涨逾15%，诚邦股份、中电港亦涨停；佰维存储涨近9%，盘中续创新高。

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消息面上，3月17日，韩国SK集团董事长崔泰源在英伟达GTC大会上表示，由于芯片生产存在系统性瓶颈，他预计全球内存芯片短缺的情况很可能会持续到2030年。与此同时，他预计DRAM、NAND和HBM等各类存储芯片的价格将持续上涨，涨势可能会持续较长时间。

西南证券指出，AI大模型技术超预期迭代升级，全球Token消耗量爆发式增长，由此带来海量的数据存储、处理和检索需求，存储行业迎来超级景气周期。海外三大原厂将有限产能向高利润HBM和DDR5产品倾斜，对消费级和低端存储芯片产能造成严重挤压，供需缺口扩大。此外，存储原厂在上轮周期产能和资本开支过度后，本轮周期扩产动作均较为谨慎；且高端HBM存储芯片存在洁净室建设周期长、良率爬坡困难等问题，短期供给持续偏紧。在需求爆发&供给刚性的背景下，据CFM闪存市场预计，2026年存储价格整体仍将延续上涨。

该机构认为，在全球存储行业高歌猛进的大背景下，国内存储企业依托工程师红利、完善的基建设施、齐全的产业链配套等优势，正以惊人速度崛起。以长江存储、长鑫存储、兆易创新、江波龙等为代表的本土企业依托自主架构创新与工艺迭代，产能持续扩张、良率稳步提升，在AI算力、消费电子、企业级市场全面突破，推动中国存储从规模增长转向技术引领。