士兰微双线里程碑式进展，第三代半导体和高端模拟芯片领域能级跃升

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新年伊始，万象更新。2026年1月4日，士兰微(600460)在厦门市海沧区举行“8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线通线仪式暨12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目开工典礼”，公司高层及行业领导、客户及嘉宾共同见证中国集成电路产业新的突破。

作为公司里程碑事件，此次通线的8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线，是士兰微电子自主研发且规模化量产的8英寸碳化硅芯片生产线，成功突破了8英寸碳化硅晶圆在制造过程中的多项核心工艺难题，标志着士兰微电子在第三代半导体领域实现从技术突破到规模化交付的关键跨越。

8英寸碳化硅产线项目总投资120亿元人民币，是士兰微电子积极响应国家战略，加快发展汽车半导体关键芯片的重大举措，于2024年5月宣布落地厦门。项目分两期建设，一期项目设计产能每年42万片晶圆，一二期全部达产后将形成年产72万片晶圆的生产能力。本次为一期项目通线，该产线将重点服务于新能源电动汽车、光伏、储能、充电桩、大型白电、AI服务器电源、工业电源等应用场景，助力客户提升系统能效与功率密度，特别是赶上2026年车用SiC市场的快速成长。

12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目是公司为加快完善半导体产业链而在厦门布局的又一个重大项目，于2025年10月正式签署相关协议，不到3个月即开工建设。项目规划总投资200亿元，分两期实施，一期项目投资100亿元，建成后形成月产能2万片；二期项目规划投资100亿元，建成后新增月产能2.5万片，达产后两期将合计实现月产能4.5万片（年产54万片）。

目前国内整体模拟芯片市场的国产化率仍然处于较低水平，尤其是高端模拟芯片的国产化仍有较大的成长空间。公司公告指出，随着新能源汽车、大型算力服务器、工业、机器人、通讯等产业领域未来几年的快速发展，该项目的投建有利于加快高端模拟芯片的国产化替代，提高公司的国际竞争能力。

士兰微电子董事长陈向东表示，两条产线的推进，不仅是产能的扩充，更是公司与客户构建技术协同、供应稳定、响应敏捷的合作体系的重要基础。士兰微将持续投入研发，优化工艺，致力于成为客户值得信赖的“芯片伙伴”。

根据公司披露，公司以国际上先进的IDM大厂为学习标杆，目标是成为具有自主品牌和国际一流竞争力的综合性半导体产品供应商。华泰证券此前研报指出，“十五五”期间，士兰微持续规划数百亿资本开支，集中于士兰集科（IGBT/功率IC）、士兰集宏（8英寸碳化硅）、士兰集华（12英寸高端模拟产线），将不断提升作为头部模拟/功率IDM公司的核心竞争力。